2025年3月18日，光电材料与器件研究所党支部书记邹友生一行赴南京中锗科技公司开展技术交流活动，聚焦于锗（Ge）单晶、磷化铟（InP）等半导体材料的单晶生长等技术领域问题。

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交流过程中，双方就Ge单晶和InP单晶半导体材料的生长技术进行深入探讨。南京中锗科技公司分享了其在Ge单晶生长方面的先进经验和技术成果，包括晶体生长工艺的优化、缺陷控制技术以及质量检测标准等。光电材料与器件研究所党支部书记则介绍所在团队在半导体材料制备研究中的最新进展，重点阐述了新型二维材料生长设备的应用、二维晶体生长过程中的参数调控以及高性能二维单晶的应用前景等内容。双方在技术细节、研发思路以及未来发展方向等方面展开充分交流，为后续合作奠定坚实基础。

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此次交流活动不仅促进双方在半导体材料技术领域的相互了解与合作，还初步达成本科生实习基地共建协议。后续，南京中锗科技公司将为光电材料与器件研究所的本科生提供实习机会，通过实践锻炼，帮助学生更好地掌握半导体材料生产与研发的实际操作技能，提升学生的综合素质和就业竞争力。同时，研究所也将为公司输送优秀人才，助力企业技术研发与创新，实现产学研深度融合，推动半导体材料技术的进一步发展。此次技术交流与合作，是光电材料与器件研究所党支部积极拓展产学研合作渠道的重要举措，对于促进学科发展、人才培养以及推动地方经济发展具有重要意义。